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英飛凌通用晶體管包括達林頓晶體管、開關和高壓晶體管。這些器件可采用各種封裝類型，同時提供PNP和NPN組合，并且提供多芯片封裝。主要的封裝型號有SOT23、SOT323、SOT363和TSLP。英飛凌旗下晶體管產(chǎn)品的Vceo高達120V，Ic高達1000mA。我們的產(chǎn)品系列幾乎涵蓋了汽車、工業(yè)、消費電子、通信和數(shù)據(jù)通信領域內(nèi)的所有應用。T378N/T370N/T298N/T221N英飛凌平板晶閘管

英飛凌晶閘管T2251N/T2563N/T2871N/T3011N 相位控制晶閘管盤具有高可靠性\\堅固且密封的陶瓷外殼。特征：在較寬的溫度范圍內(nèi)具有 50/60 Hz 的*阻斷能力；高直流電壓阻斷穩(wěn)定性；高沖擊電流能力；高開啟 di/dt 功能；高 dv/dt 功能。優(yōu)勢：可靠性高，可以大幅度地減少維護并減少停機；通過串聯(lián)和并聯(lián)的特殊設計，輕松實現(xiàn)系統(tǒng)功率調(diào)節(jié)；由于高過載能力，可實現(xiàn)無熔絲設計。

相位控制晶閘管盤具有高可靠性、堅固且密封的陶瓷外殼。特征描述：在較寬的溫度范圍內(nèi)具有 50/60 Hz 的*阻斷能力；高直流電壓阻斷穩(wěn)定性；高沖擊電流能力；高開啟 di/dt 功能；高 dv/dt 功能。優(yōu)勢：可靠性高，可以大幅度地減少維護并減少停機；通過串聯(lián)和并聯(lián)的特殊設計，輕松實現(xiàn)系統(tǒng)功率調(diào)節(jié)；由于高過載能力，可實現(xiàn)無熔絲設計。全新現(xiàn)貨 英飛凌 大功率平板晶閘管

Thyristor Discs 為200 V至8000 V電壓范圍和86A至4800A電流區(qū)間的器件提供盤式外殼。所有片式元器件均采用高度可靠、穩(wěn)健、密封的陶瓷外殼，以避免物理損傷和幾乎所有潛在的負面環(huán)境影響，例如潮濕。作為產(chǎn)品系列的延伸，片式光觸發(fā)晶閘管（LTT）也包含其中。功率范圍涵蓋5200 V至8000 V電壓區(qū)間以及550 A至4000 A電流區(qū)間。全新英飛凌大功率晶閘管 功率半導體模塊

英飛凌通用晶體管包括達林頓晶體管、開關和高壓晶體管。這些器件可采用各種封裝類型，同時提供PNP和NPN組合，并且提供多芯片封裝。主要的封裝型號有SOT23、SOT323、SOT363和TSLP。英飛凌旗下晶體管產(chǎn)品的Vceo高達120V，Ic高達1000mA。我們的產(chǎn)品系列幾乎涵蓋了汽車、工業(yè)、消費電子、通信和數(shù)據(jù)通信領域內(nèi)的所有應用。德國英飛凌大功率晶閘管T系列 6500V-9500V