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Product Center三菱模塊可控硅模塊現(xiàn)貨供應,絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極
更新時間:2024-07-12
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原廠三菱IGBT模塊現(xiàn)貨供應,絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。
更新時間:2024-07-12
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絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。原廠宏微模塊現(xiàn)貨供應
更新時間:2024-04-12
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整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。通常它包含一個PN結(jié),有正極和負極兩個端子。模塊宏微MACMIC現(xiàn)貨供應原裝*
更新時間:2024-04-12
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一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié),有正極和負極兩個端子。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。供應全新?lián)P杰模塊
更新時間:2024-04-11
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